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NSBA114EDXV6T5
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NSBA114EDXV6T5 Technische Spezifikationen
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Published | 2006 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 500mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 6 |
Qualification Status | Not Qualified |
Polarity | PNP |
Power Dissipation | 357mW |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10k Ω |
Lead Free | Contains Lead |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Voltage - Rated DC | -50V |
Terminal Form | FLAT |
Current Rating | -100mA |
Base Part Number | NSBA1* |
JESD-30 Code | R-PDSO-F6 |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
hFE Min | 35 |
Continuous Collector Current | -100mA |
RoHS Status | Non-RoHS Compliant |
NSBA114EDXV6T5 Unterlagen
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Datenblätter
Andere schließen ein "NSBA1" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'NSBA1'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
NSBA113EDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2561 |
NSBA113EDXV6T1 | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSBA113EDXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | BJT-Transistor-Arrays | |
NSBA113EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2743 |
NSBA113EDXV6T1G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSBA113EF3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2635 |
NSBA113EF3T5G | ON Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
NSBA114EDP6T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 6222 |
NSBA114EDP6T5G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSBA114EDXV6T1 | ON | Spezialisierte heiße ICs | 5048 |
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NSBA114EDXV6T5 Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NSBA114EDXV6T5 Referenzpreis. NSBA114EDXV6T5 Parameter, NSBA114EDXV6T5 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NSBA114EDXV6T5 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NSBA114EDXV6T5 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NSBA114EDXV6T5 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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