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NSBA143ZDXV6T1G Technische Spezifikationen

Bipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Weight 8.193012mg
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.1
Max Power Dissipation 500mW
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Pin Count 6
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
hFE Min 80
Continuous Collector Current 100mA
Height 550μm
Width 1.2mm
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Form FLAT
Current Rating -100mA
Base Part Number NSBA1*
Qualification Status Not Qualified
Polarity PNP
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 4.7k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
Length 1.6mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSBA113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2561
NSBA113EDXV6T1 ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBA113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC BJT-Transistor-Arrays
NSBA113EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2743
NSBA113EDXV6T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBA113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2635
NSBA113EF3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSBA114EDP6T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 6222
NSBA114EDP6T5G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBA114EDXV6T1 ON Spezialisierte heiße ICs 5048

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NSBA143ZDXV6T1G Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NSBA143ZDXV6T1G Referenzpreis. NSBA143ZDXV6T1G Parameter, NSBA143ZDXV6T1G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NSBA143ZDXV6T1G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NSBA143ZDXV6T1G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NSBA143ZDXV6T1G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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