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NSBA144WDXV6T1G Technische Spezifikationen

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-563 T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1
Max Power Dissipation 500mW
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 6
Number of Elements 2
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 47k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory BIP General Purpose Small Signals
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Polarity PNP
Power - Max 500mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
hFE Min 80
Resistor - Emitter Base (R2) 22k Ω
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSBA113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2561
NSBA113EDXV6T1 ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBA113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC BJT-Transistor-Arrays
NSBA113EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2743
NSBA113EDXV6T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBA113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2635
NSBA113EF3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSBA114EDP6T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 6222
NSBA114EDP6T5G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBA114EDXV6T1 ON Spezialisierte heiße ICs 5048

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NSBA144WDXV6T1G Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NSBA144WDXV6T1G Referenzpreis. NSBA144WDXV6T1G Parameter, NSBA144WDXV6T1G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NSBA144WDXV6T1G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NSBA144WDXV6T1G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NSBA144WDXV6T1G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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