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NSBC113EPDXV6T1G Technische Spezifikationen

Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case SOT-563-6
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Max Collector Current 100mA
Max Breakdown Voltage 50V
DC Current Gain-Min (hFE) 3
Height 550μm
Width 1.2mm
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Surface Mount YES
Weight 8.193012mg
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Max Power Dissipation 500mW
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 6
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
hFE Min 3
Continuous Collector Current 100mA
Length 1.6mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSBC113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2623
NSBC113EDXV6T1 ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBC113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC BJT-Transistor-Arrays
NSBC113EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2611
NSBC113EDXV6T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBC113EDXV6T5 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2510
NSBC113EDXV6T5 ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBC113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2570
NSBC113EF3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSBC113EPDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2569

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NSBC113EPDXV6T1G Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NSBC113EPDXV6T1G Referenzpreis. NSBC113EPDXV6T1G Parameter, NSBC113EPDXV6T1G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NSBC113EPDXV6T1G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NSBC113EPDXV6T1G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NSBC113EPDXV6T1G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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