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NSBC114TDXV6T5 Technische Spezifikationen

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Published 2006
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 500mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Current Rating 100mA
Base Part Number NSBC1*
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
hFE Min 160
Continuous Collector Current 100mA
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code unknown
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 6
Qualification Status Not Qualified
Polarity NPN
Power Dissipation 357mW
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 10k Ω
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSBC113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2623
NSBC113EDXV6T1 ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBC113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC BJT-Transistor-Arrays
NSBC113EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2611
NSBC113EDXV6T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBC113EDXV6T5 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2510
NSBC113EDXV6T5 ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBC113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2570
NSBC113EF3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSBC113EPDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2569

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