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NSBC123JPDP6T5G Technische Spezifikationen

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form FLAT
Pin Count 6
Polarity NPN, PNP
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
hFE Min 80
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case SOT-963
Number of Pins 6
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 0.047
Max Power Dissipation 339mW
Base Part Number NSBC1*
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 2.2k Ω
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSBC113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2623
NSBC113EDXV6T1 ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBC113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC BJT-Transistor-Arrays
NSBC113EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2611
NSBC113EDXV6T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBC113EDXV6T5 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2510
NSBC113EDXV6T5 ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBC113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2570
NSBC113EF3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSBC113EPDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2569

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NSBC123JPDP6T5G Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NSBC123JPDP6T5G Referenzpreis. NSBC123JPDP6T5G Parameter, NSBC123JPDP6T5G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NSBC123JPDP6T5G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NSBC123JPDP6T5G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NSBC123JPDP6T5G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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