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NSBC124EPDXV6T1G Technische Spezifikationen

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 500mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 6
Polarity NPN, PNP
Power Dissipation 357mW
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
hFE Min 60
Continuous Collector Current 100mA
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Number of Pins 6
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Form FLAT
Current Rating 100mA
Base Part Number NSBC1*
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Max Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 22k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 22k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSBC113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2623
NSBC113EDXV6T1 ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBC113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC BJT-Transistor-Arrays
NSBC113EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2611
NSBC113EDXV6T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBC113EDXV6T5 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2510
NSBC113EDXV6T5 ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBC113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2570
NSBC113EF3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSBC113EPDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2569

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NSBC124EPDXV6T1G Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NSBC124EPDXV6T1G Referenzpreis. NSBC124EPDXV6T1G Parameter, NSBC124EPDXV6T1G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NSBC124EPDXV6T1G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NSBC124EPDXV6T1G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NSBC124EPDXV6T1G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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