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NSBC124XPDXV6T5G
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NSBC124XPDXV6T5G Technische Spezifikationen
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14 |
Voltage - Rated DC | 50V |
Terminal Form | FLAT |
Current Rating | 100mA |
Base Part Number | NSBC1* |
JESD-30 Code | R-PDSO-F6 |
Operating Temperature (Max) | 150°C |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
Polarity/Channel Type | NPN AND PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Resistor - Base (R1) | 22k Ω |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2008 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 500mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 6 |
Qualification Status | Not Qualified |
Number of Elements | 2 |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47k Ω |
Lead Free | Lead Free |
NSBC124XPDXV6T5G Unterlagen
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-
Datenblätter
Andere schließen ein "NSBC1" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'NSBC1'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
NSBC113EDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2623 |
NSBC113EDXV6T1 | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSBC113EDXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | BJT-Transistor-Arrays | |
NSBC113EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2611 |
NSBC113EDXV6T1G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSBC113EDXV6T5 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2510 |
NSBC113EDXV6T5 | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSBC113EF3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2570 |
NSBC113EF3T5G | ON Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
NSBC113EPDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2569 |
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