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NSBC143EF3T5G Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Position DUAL
Base Part Number NSBC1*
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 4.7 k Ω
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case SOT-1123
Number of Pins 3
Published 2010
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Max Power Dissipation 254mW
Terminal Form FLAT
Pin Count 3
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
hFE Min 15
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSBC113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2623
NSBC113EDXV6T1 ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBC113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC BJT-Transistor-Arrays
NSBC113EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2611
NSBC113EDXV6T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBC113EDXV6T5 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2510
NSBC113EDXV6T5 ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSBC113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2570
NSBC113EF3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSBC113EPDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2569

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NSBC143EF3T5G Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NSBC143EF3T5G Referenzpreis. NSBC143EF3T5G Parameter, NSBC143EF3T5G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NSBC143EF3T5G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NSBC143EF3T5G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NSBC143EF3T5G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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