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NSBC143EPDXV6T1
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NSBC143EPDXV6T1 Technische Spezifikationen
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Voltage - Rated DC | 50V |
Terminal Form | FLAT |
Current Rating | 100mA |
Pin Count | 6 |
Polarity | PNP |
Power Dissipation | 357mW |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7k Ω |
RoHS Status | Non-RoHS Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Published | 2008 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 500mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Base Part Number | NSBC1* |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
hFE Min | 15 |
Continuous Collector Current | 100mA |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Contains Lead |
NSBC143EPDXV6T1 Unterlagen
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-
Datenblätter
Andere schließen ein "NSBC1" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'NSBC1'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
NSBC113EDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2623 |
NSBC113EDXV6T1 | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSBC113EDXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | BJT-Transistor-Arrays | |
NSBC113EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2611 |
NSBC113EDXV6T1G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSBC113EDXV6T5 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2510 |
NSBC113EDXV6T5 | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSBC113EF3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2570 |
NSBC113EF3T5G | ON Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
NSBC113EPDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2569 |
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NSBC143EPDXV6T1 Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NSBC143EPDXV6T1 Referenzpreis. NSBC143EPDXV6T1 Parameter, NSBC143EPDXV6T1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NSBC143EPDXV6T1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NSBC143EPDXV6T1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NSBC143EPDXV6T1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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