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NSL12AWT1G Technische Spezifikationen

NSL12AWT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 450mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating -3A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 6
Element Configuration Single
Power - Max 450mW
Halogen Free Halogen Free
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 800mA 1.5 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 290mV @ 20mA, 1A
Transition Frequency 100MHz
Max Breakdown Voltage 12V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 6.35mm
Width 6.35mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Weight 4.535924g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2002
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC -12V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 100MHz
Base Part Number NSL12A
Number of Elements 1
Power Dissipation 650mW
Transistor Application SWITCHING
Gain Bandwidth Product 100MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V
Collector Emitter Saturation Voltage -170mV
Collector Base Voltage (VCBO) 12V
hFE Min 100
Length 6.35mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NSL12AWT1G Unterlagen

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Die folgenden Teile umfassen  'NSL12' 

Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSL12AWT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2239
NSL12AWT1 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
NSL12AWT1 Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
NSL12AWT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3276

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NSL12AWT1G Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NSL12AWT1G Referenzpreis. NSL12AWT1G Parameter, NSL12AWT1G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NSL12AWT1G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NSL12AWT1G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NSL12AWT1G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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