NSM80100MT1G Technische Spezifikationen

NSM80100MT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 270mW
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power - Max 270mW
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 10mA 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Transition Frequency 150MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) -4V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)
Package / Case SC-74, SOT-457
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 6
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 80V
Frequency - Transition 150MHz
hFE Min 120
Lead Free Lead Free
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NSM80100MT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3422
NSM80100MT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2177
NSM80101MT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 14330
NSM80101MT1G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren

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