NSS40301MZ4T1G Technische Spezifikationen

NSS40301MZ4T1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 2W
Terminal Form GULL WING
Base Part Number NSS40301
Number of Elements 1
Power Dissipation 2W
Halogen Free Halogen Free
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1A 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 300mA, 3A
Transition Frequency 215MHz
Max Breakdown Voltage 40V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Height 1.65mm
Width 3.7mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 4
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Frequency 215MHz
Pin Count 4
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Gain Bandwidth Product 215MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Collector Emitter Saturation Voltage 200mV
Collector Base Voltage (VCBO) 40V
hFE Min 220
Length 6.7mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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NSS40200LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 140188
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