NSS40600CF8T1G Technische Spezifikationen

NSS40600CF8T1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 830mW
Terminal Form C BEND
Pin Count 8
Element Configuration Single
Power - Max 830mW
Halogen Free Halogen Free
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 1A 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 220mV @ 400mA, 4A
Transition Frequency 100MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 40V
hFE Min 250
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Frequency 100MHz
Number of Elements 1
Power Dissipation 1.4W
Transistor Application SWITCHING
Gain Bandwidth Product 100MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 6A
Current - Collector Cutoff (Max) 10μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Collector Emitter Saturation Voltage 180mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 7V
Turn On Time-Max (ton) 340ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NSS40200LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 140188
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NSS40201LT1G @@@@ 98K Spezialisierte heiße ICs 15200
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