NSS40601CF8T1G Technische Spezifikationen

NSS40601CF8T1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 1.4W
Terminal Form C BEND
Base Part Number NSS40601
Number of Elements 1
Power Dissipation 1.4W
Transistor Application SWITCHING
Gain Bandwidth Product 140MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 6A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Collector Emitter Saturation Voltage 135mV
Collector Base Voltage (VCBO) 40V
hFE Min 200
Height 1.1mm
Width 1.7mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Frequency 140MHz
Pin Count 8
Element Configuration Single
Power - Max 830mW
Halogen Free Halogen Free
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1A 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 135mV @ 400mA, 4A
Transition Frequency 140MHz
Max Breakdown Voltage 40V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Turn On Time-Max (ton) 240ns
Length 3.1mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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