NST30010MXV6T1G Technische Spezifikationen

TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT563

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case SOT-563, SOT-666
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 661mW
Frequency 100MHz
Pin Count 6
Polarity PNP
Power Dissipation 661mW
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type 2 PNP (Dual) Matched Pair
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Collector Emitter Saturation Voltage -600mV
Collector Base Voltage (VCBO) 30V
Height 600μm
Width 1.3mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Subcategory Other Transistors
Terminal Form FLAT
Base Part Number NST30010M
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Power - Max 500mW
Gain Bandwidth Product 100MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Transition Frequency 100MHz
Max Breakdown Voltage 30V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Length 1.7mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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NST30010MXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 39560

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