NST847BF3T5G Technische Spezifikationen

NST847BF3T5G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 347mW
Terminal Form FLAT
Base Part Number NST847B
Number of Elements 1
Power Dissipation 347mW
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Transition Frequency 100MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 45V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case SOT-1123
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Frequency 100MHz
Pin Count 3
Element Configuration Single
Power - Max 290mW
Gain Bandwidth Product 100MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 45V
Max Breakdown Voltage 45V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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