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NSTB1002DXV5T1 Technische Spezifikationen

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-553
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Max Power Dissipation 500mW
Terminal Form FLAT
Current Rating 100mA
Pin Count 5
Qualification Status Not Qualified
Configuration CASCADED, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Polarity/Channel Type NPN AND PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V / 100 @ 1mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V 40V
Transition Frequency 250MHz
Resistor - Base (R1) 47k Ω
Turn Off Time-Max (toff) 300ns
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Published 2006
Part Status Obsolete
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Number of Elements 2
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Max Collector Current 200mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA 200mA
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
Turn On Time-Max (ton) 70ns
Lead Free Contains Lead
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NSTB1002DXV5T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 3937
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