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NSVB144EPDXV6T1G
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NSVB144EPDXV6T1G Technische Spezifikationen
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2012 |
Part Status | Obsolete |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 500mW |
Number of Elements | 2 |
Polarity/Channel Type | NPN/PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
hFE Min | 80 |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47k Ω |
Lead Free | Lead Free |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Number of Pins | 6 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Pin Count | 6 |
Power - Max | 500mW |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47k Ω |
RoHS Status | RoHS Compliant |
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-
Datenblätter
Andere schließen ein "NSVB1" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'NSVB1'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
NSVB114YPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2594 |
NSVB114YPDXV6T1G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSVB123JPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2553 |
NSVB123JPDXV6T1G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSVB123JPDXV6T1G | Rochester Electronics, LLC | BJT-Transistor-Arrays | |
NSVB124XPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2622 |
NSVB124XPDXV6T1G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSVB143TPDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2692 |
NSVB143TPDXV6T1G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
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NSVB144EPDXV6T1G Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NSVB144EPDXV6T1G Referenzpreis. NSVB144EPDXV6T1G Parameter, NSVB144EPDXV6T1G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NSVB144EPDXV6T1G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NSVB144EPDXV6T1G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NSVB144EPDXV6T1G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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