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NSVBAS21HT3G Technische Spezifikationen

NSVBAS21HT3G datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einphasen-Diodengleichrichter
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Diode Element Material SILICON
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
HTS Code 8541.10.00.70
Terminal Position DUAL
Base Part Number BAS21
Reference Standard AEC-Q101
Element Configuration Single
Diode Type Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 200mA
Max Reverse Leakage Current 100nA
Halogen Free Halogen Free
Forward Voltage 1.25V
Average Rectified Current 200mA
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 250V
Peak Non-Repetitive Surge Current 5A
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case SC-76, SOD-323
Number of Pins 2
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory Rectifier Diodes
Terminal Form GULL WING
Pin Count 2
Number of Elements 1
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr 100nA @ 200V
Forward Current 200mA
Operating Temperature - Junction -55°C~150°C
Current - Average Rectified (Io) 200mA DC
Max Reverse Voltage (DC) 250V
Reverse Recovery Time 50 ns
Capacitance @ Vr, F 5pF @ 0V 1MHz
Recovery Time 50 ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSVBA114EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2796
NSVBA114EDXV6T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSVBA114YDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 24400
NSVBA114YDXV6T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSVBA143ZDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 40314
NSVBA143ZDXV6T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSVBAS116LT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2713
NSVBAS16TT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2751
NSVBAS16TT1G ON Semiconductor Einphasen-Diodengleichrichter
NSVBAS16WT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2569

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