NSVBAS21TMR6T2G Technische Spezifikationen

NSVBAS21TMR6T2G datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Gleichrichter-Dioden-Array
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-74, SOT-457
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Position DUAL
Reference Standard AEC-Q101
Operating Temperature (Max) 150°C
Number of Elements 3
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr 100nA @ 200V
Output Current-Max 0.2A
Max Reverse Voltage (DC) 250V
Reverse Recovery Time 50 ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Diode Element Material SILICON
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PDSO-G6
Operating Temperature (Min) -55°C
Power Dissipation-Max 0.311W
Diode Type Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 200mA
Current - Average Rectified (Io) 200mA DC
Average Rectified Current 200mA
Diode Configuration 3 Independent
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSVBA114EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2796
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NSVBA114YDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 24400
NSVBA114YDXV6T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSVBA143ZDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 40314
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NSVBAS16TT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2751
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