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NSVBAS21TMR6T2G
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NSVBAS21TMR6T2G Technische Spezifikationen
NSVBAS21TMR6T2G datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Gleichrichter-Dioden-Array |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SC-74, SOT-457 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Position | DUAL |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Operating Temperature (Max) | 150°C |
Number of Elements | 3 |
Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100nA @ 200V |
Output Current-Max | 0.2A |
Max Reverse Voltage (DC) | 250V |
Reverse Recovery Time | 50 ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Diode Element Material | SILICON |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PDSO-G6 |
Operating Temperature (Min) | -55°C |
Power Dissipation-Max | 0.311W |
Diode Type | Standard |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Current - Average Rectified (Io) | 200mA DC |
Average Rectified Current | 200mA |
Diode Configuration | 3 Independent |
Lead Free | Lead Free |
NSVBAS21TMR6T2G Unterlagen
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Datenblätter
Andere schließen ein "NSVBA" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'NSVBA'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
NSVBA114EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2796 |
NSVBA114EDXV6T1G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSVBA114YDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 24400 |
NSVBA114YDXV6T1G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSVBA143ZDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 40314 |
NSVBA143ZDXV6T1G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
NSVBAS116LT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Dioden - Gleichrichter - Einzeln | 2713 |
NSVBAS16TT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Dioden - Gleichrichter - Einzeln | 2751 |
NSVBAS16TT1G | ON Semiconductor | Einphasen-Diodengleichrichter | |
NSVBAS16WT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Dioden - Gleichrichter - Einzeln | 2569 |
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NSVBAS21TMR6T2G Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NSVBAS21TMR6T2G Referenzpreis. NSVBAS21TMR6T2G Parameter, NSVBAS21TMR6T2G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NSVBAS21TMR6T2G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NSVBAS21TMR6T2G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NSVBAS21TMR6T2G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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