NSVBAT54M3T5G Technische Spezifikationen

NSVBAT54M3T5G datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einphasen-Diodengleichrichter
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-723
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Reference Standard AEC-Q101
Operating Temperature (Max) 125°C
Configuration SINGLE
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr 2μA @ 25V
Operating Temperature - Junction -55°C~125°C
Current - Average Rectified (Io) 200mA DC
Average Rectified Current 200mA
Capacitance @ Vr, F 10pF @ 1V 1MHz
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Diode Element Material SILICON
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Rectifier Diodes
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 0.2W
Diode Type Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 800mV @ 100mA
Output Current-Max 0.2A
Max Reverse Voltage (DC) 30V
Reverse Recovery Time 5 ns
Non-rep Pk Forward Current-Max 0.6A
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSVBA114EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2796
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