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NSVBC817-40WT1G Technische Spezifikationen

NSVBC817-40WT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2016
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Position DUAL
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Configuration SINGLE
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Frequency - Transition 100MHz
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case SC-70, SOT-323
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Power - Max 460mW
Transistor Type NPN
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Transition Frequency 100MHz
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSVBC114EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 8344
NSVBC114EDXV6T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSVBC114EPDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 4000
NSVBC114EPDXV6T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSVBC114EPDXV6T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 4268
NSVBC114YDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2543
NSVBC114YDXV6T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSVBC114YPDXV65G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2692
NSVBC114YPDXV65G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
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NSVBC817-40WT1G Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NSVBC817-40WT1G Referenzpreis. NSVBC817-40WT1G Parameter, NSVBC817-40WT1G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NSVBC817-40WT1G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NSVBC817-40WT1G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NSVBC817-40WT1G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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