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NSVDTC123JET1G Technische Spezifikationen

TRANS NPN 50V 0.1A SC75

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-75, SOT-416
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Power - Max 200mW
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSVDTA113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2770
NSVDTA113EM3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSVDTA114EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2515
NSVDTA114EET1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSVDTA114EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2747
NSVDTA114EM3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSVDTA114YM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2600
NSVDTA114YM3T5G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSVDTA115EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 30215
NSVDTA115EET1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren

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