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NSVDTC144TM3T5G
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NSVDTC144TM3T5G Technische Spezifikationen
TRANS NPN 50V BIPOLAR SOT723
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-723 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Number of Elements | 1 |
Power - Max | 260mW |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Resistor - Base (R1) | 47 k Ω |
Lead Free | Lead Free |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2009 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
Max Power Dissipation | 260mW |
Terminal Form | FLAT |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-F3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NSVDTC144TM3T5G Unterlagen
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-
Datenblätter
Andere schließen ein "NSVDT" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'NSVDT'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
NSVDTA113EM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2770 |
NSVDTA113EM3T5G | ON Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
NSVDTA114EET1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2515 |
NSVDTA114EET1G | ON Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
NSVDTA114EM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2747 |
NSVDTA114EM3T5G | ON Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
NSVDTA114YM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2600 |
NSVDTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
NSVDTA115EET1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 30215 |
NSVDTA115EET1G | ON Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren |
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