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NSVMMUN2112LT1G Technische Spezifikationen

Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT23 BR XSTR PNP 50V

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Number of Elements 1
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Resistor - Base (R1) 22 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 246mW
Power - Max 246mW
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Emitter Base (R2) 22 k Ω
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSVMMBD352WT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2717
NSVMMBD352WT1G ON Semiconductor Gleichrichter-Dioden-Array
NSVMMBD353LT1 ON Spezialisierte heiße ICs 3287
NSVMMBD353LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2620
NSVMMBD353LT1G ON Semiconductor Gleichrichter-Dioden-Array
NSVMMBD354LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Dioden - HF 2588
NSVMMBD354LT1G ON Semiconductor RF-Dioden
NSVMMBD717LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2773
NSVMMBD717LT1G ON Semiconductor Gleichrichter-Dioden-Array
NSVMMBT2222AM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2683

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