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NSVMMUN2232LT1G Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 150°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Base Part Number MMUN22**L
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 4.7 k Ω
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 246mW
Pin Count 3
Polarity NPN
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
hFE Min 15
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NSVMMBD352WT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2717
NSVMMBD352WT1G ON Semiconductor Gleichrichter-Dioden-Array
NSVMMBD353LT1 ON Spezialisierte heiße ICs 3287
NSVMMBD353LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2620
NSVMMBD353LT1G ON Semiconductor Gleichrichter-Dioden-Array
NSVMMBD354LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Dioden - HF 2588
NSVMMBD354LT1G ON Semiconductor RF-Dioden
NSVMMBD717LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2773
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