NSVMSB1218A-RT1G Technische Spezifikationen

NSVMSB1218A-RT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-70, SOT-323
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Max Power Dissipation 150mW
Transistor Type PNP
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 45V
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 150mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 500mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 210 @ 2mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSVMSA1162GT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2658
NSVMSA1162GT1G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
NSVMSB1218A-RT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2567
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NSVMSB92T1G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
NSVMSD42WT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2641
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