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NSVMUN5212DW1T1G Technische Spezifikationen

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Base Part Number MUN52**DW1T
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 22k Ω
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 250mW
Pin Count 6
Polarity NPN
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
hFE Min 60
Resistor - Emitter Base (R2) 22k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSVMUN2112T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2673
NSVMUN2112T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSVMUN2212T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 3242
NSVMUN2212T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSVMUN2233T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2772
NSVMUN2233T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSVMUN2236T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSVMUN2237T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 18227
NSVMUN2237T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSVMUN5111DW1T3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 443211

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