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NSVMUN5233DW1T3G Technische Spezifikationen

TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Published 2013
Part Status Active
Max Power Dissipation 250mW
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 250mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Resistor - Base (R1) 4.7k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSVMUN2112T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2673
NSVMUN2112T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSVMUN2212T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 3242
NSVMUN2212T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSVMUN2233T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2772
NSVMUN2233T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSVMUN2236T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSVMUN2237T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 18227
NSVMUN2237T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
NSVMUN5111DW1T3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 443211

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