NSVT30010MXV6T1G Technische Spezifikationen

Bipolar Transistors - BJT DUAL MATCHED PNP GP XTT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 500mW
Polarity PNP
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Frequency - Transition 100MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Pin Count 6
Power - Max 500mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Transition Frequency 100MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 30V
hFE Min 270
RoHS Status ROHS3 Compliant
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