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NSVT65010MW6T1G Technische Spezifikationen

ON SEMICONDUCTOR - NSVT65010MW6T1G - Bipolar Transistor Array, Dual PNP, -65 V, 380 mW, -100 mA, 0.9 hFE, SOT-363

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2015
Part Status Active
Max Power Dissipation 380mW
Power - Max 380mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 650mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Max Breakdown Voltage 65V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Packaging Cut Tape (CT)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Polarity PNP
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 65V
Frequency - Transition 100MHz
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSVT65010MW6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2775
NSVT65011MW6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2563
NSVT65011MW6T1G ON Semiconductor Arrays BJT-Transistoren

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NSVT65010MW6T1G Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NSVT65010MW6T1G Referenzpreis. NSVT65010MW6T1G Parameter, NSVT65010MW6T1G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NSVT65010MW6T1G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NSVT65010MW6T1G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NSVT65010MW6T1G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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