NSVUMC2NT1G Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC70

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 150mW
Pin Count 5
Polarity NPN, PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
hFE Min 60
Resistor - Emitter Base (R2) 22k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Number of Pins 5
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -65°C
Voltage - Rated DC 50V
Current Rating 100mA
Number of Elements 2
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 22k Ω
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NSVUMC2NT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2562
NSVUMC3NT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 6500
NSVUMC3NT1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
NSVUMC3NT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 6355
NSVUMC5NT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 117254
NSVUMC5NT1G ON Semiconductor Arrays BJT-Transistoren
NSVUMC5NT2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2561
NSVUMC5NT2G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays

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