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NTB25P06T4G Technische Spezifikationen

NTB25P06T4G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC -60V
Terminal Form GULL WING
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 120W
Turn On Delay Time 14 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27.5A Ta
Rise Time 72ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 43 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 15V
Drain to Source Breakdown Voltage -60V
Avalanche Energy Rating (Eas) 600 mJ
Length 10.29mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating -25A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 120W Tj
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82m Ω @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1680pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±15V
Fall Time (Typ) 190 ns
Continuous Drain Current (ID) 27.5A
Drain-source On Resistance-Max 0.082Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 80A
Height 4.83mm
Width 9.65mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTB25P06 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 31740
NTB25P06G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 57373
NTB25P06T4 ONS Spezialisierte heiße ICs 800
NTB25P06T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2327
NTB25P06T4G MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 1459

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