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NTB5426NT4G Technische Spezifikationen

MOSFET 60V, 4.5mOhms N-Channel

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Powers
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 215W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6m Ω @ 60A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 95 ns
Continuous Drain Current (ID) 130A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Height 4.83mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 215W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Rise Time 100ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 105 ns
Threshold Voltage 3.1V
Drain-source On Resistance-Max 0.006Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 260A
Length 10.29mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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