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NTB75N03L09G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 75A
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A Tc
Rise Time 130ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 125W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8m Ω @ 37.5A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5635pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V
Fall Time (Typ) 105 ns
Continuous Drain Current (ID) 75A
Drain-source On Resistance-Max 0.008Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 225A
RoHS Status RoHS Compliant
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