NTD25P03LT4 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 30V 25A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Lead (Sn80Pb20)
HTS Code 8541.29.00.95
Voltage - Rated DC -30V
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 75W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80m Ω @ 25A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1260pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±15V
Turn-Off Delay Time 15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 15V
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 200 mJ
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating -25A
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 75W Tj
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A Ta
Rise Time 37ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4V 5V
Fall Time (Typ) 16 ns
Continuous Drain Current (ID) 25A
Drain-source On Resistance-Max 0.08Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 75A
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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