NTD3055-094T4G Technische Spezifikationen

NTD3055-094T4G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2002
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 1.5W Ta 48W Tj
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94m Ω @ 6A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A Ta
Rise Time 32.3ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 25.2 ns
Threshold Voltage 2.9V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Height 2.38mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 94MOhm
Voltage - Rated DC 60V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 12A
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 48W
Turn On Delay Time 7.7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 23.9 ns
Continuous Drain Current (ID) 12A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 45A
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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