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NTD4808NT4G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 9.8A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 1.4W Ta 54.6W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A Ta 63A Tc
Rise Time 102ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 4
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1538pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 11.5V
Fall Time (Typ) 5.6 ns
Continuous Drain Current (ID) 12A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 9.8A
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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