NTD4856N-35G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.14W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2241pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 7.5 ns
Continuous Drain Current (ID) 16.3A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 89A
Drain to Source Breakdown Voltage 25V
Avalanche Energy Rating (Eas) 180.5 mJ
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 1.33W Ta 60W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.3A Ta 89A Tc
Rise Time 22.5ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 27.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0068Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 179A
RoHS Status RoHS Compliant
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