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NTD4906N-1G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 54A SGL IPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Pin Count 4
Power Dissipation-Max 1.38W Ta 37.5W Tc
Power Dissipation 2.6W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1932pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 4
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.3A Ta 54A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Continuous Drain Current (ID) 54A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
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