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NTD5862N-1G Technische Spezifikationen

MOSFET NFET IPAK 60V 102A 6MOHM

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 22 hours ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 4
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 115W
Turn On Delay Time 18 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7m Ω @ 45A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 60 ns
Continuous Drain Current (ID) 98A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 90A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Avalanche Energy Rating (Eas) 205 mJ
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form THROUGH-HOLE
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Power Dissipation-Max 115W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 98A Tc
Rise Time 70ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0057Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 335A
Height 2.38mm
Width 6.22mm
RoHS Status RoHS Compliant
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