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NTE4151PT1G Technische Spezifikationen

NTE4151PT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 260mOhm
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Current Rating -760mA
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 313mW Tj
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 760mA Tj
Rise Time 8.2ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.8V 4.5V
Fall Time (Typ) 8.2 ns
Continuous Drain Current (ID) 760mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.76A
Height 800μm
Width 950μm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case SC-89, SOT-490
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -20V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 313mW
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360m Ω @ 350mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 156pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±6V
Turn-Off Delay Time 29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 6V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
Length 1.6764mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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