NTGD3133PT1G Technische Spezifikationen

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Dual
Power Dissipation 1.1W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Fall Time (Typ) 12.7 ns
Continuous Drain Current (ID) 1.6A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2.5A
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
FET Feature Logic Level Gate
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 560mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 6
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145m Ω @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 10V
Rise Time 12.7ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 13.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain-source On Resistance-Max 0.145Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status RoHS Compliant
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