NTGS3441PT1G Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 1.8A 6-TSOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code unknown
Pin Count 6
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 510mW Ta
Power Dissipation 980mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A Ta
Rise Time 14ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 14 ns
Continuous Drain Current (ID) -2.5A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 1.8A
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110m Ω @ 3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 345pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain-source On Resistance-Max 0.11Ohm
RoHS Status RoHS Compliant
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