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NTHS5441T1G Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Voltage - Rated DC -20V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.3W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46m Ω @ 3.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
Height 1.1mm
Width 1.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 10 hours ago)
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Weight 4.535924g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form C BEND
Current Rating -3.9A
Pin Count 8
Power Dissipation-Max 1.3W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 14 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A Ta
Rise Time 22ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 22 ns
Continuous Drain Current (ID) 5.3A
Drain-source On Resistance-Max 0.06Ohm
Nominal Vgs -1.2 V
Length 3.1mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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