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NTJD4105CT1G Technische Spezifikationen

NTJD4105CT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 19 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Resistance 220mOhm
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
Current Rating 630mA
Base Part Number NTJD4105C
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 83 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 630mA 775mA
Rise Time 23ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 50 ns
Threshold Voltage 920mV
Drain to Source Breakdown Voltage -8V
FET Feature Logic Level Gate
Feedback Cap-Max (Crss) 5 pF
Length 2.2mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 270mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 6
Element Configuration Dual
Power Dissipation 550mW
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 375m Ω @ 630mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 8V
Fall Time (Typ) 36 ns
Continuous Drain Current (ID) 775mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 920 mV
Height 1mm
Width 1.35mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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