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NTJD4401NT1G Technische Spezifikationen

NTJD4401NT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Resistance 220mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Max Power Dissipation 270mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 6
Element Configuration Dual
Power Dissipation 270mW
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 375m Ω @ 630mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 20V
Rise Time 227ns
Turn-Off Delay Time 786 ns
Threshold Voltage 920mV
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
FET Feature Logic Level Gate
Feedback Cap-Max (Crss) 5 pF
Length 2.1844mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1997
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 20V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 630mA
Base Part Number NTJD4401N
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 83 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
Fall Time (Typ) 227 ns
Continuous Drain Current (ID) 630mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 920 mV
Height 990.6μm
Width 1.3462mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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