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NTLGD3502NT2G Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 1.74W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 6
Element Configuration Dual
Power Dissipation 1.74W
Turn On Delay Time 7 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60m Ω @ 4.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Fall Time (Typ) 17.5 ns
Continuous Drain Current (ID) 5.8A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4.3A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 17.2A
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LIFETIME (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case 6-VDFN Exposed Pad
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 60MOhm
HTS Code 8541.29.00.95
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number NTLGD3502N
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A 3.6A
Rise Time 17.5ns
Turn-Off Delay Time 8.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTLGD3502NT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2793
NTLGD3502NT1G ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NTLGD3502NT1G Rochester Electronics, LLC MOSFETs Transistor Arrays
NTLGD3502NT2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 4794

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