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NTLUD3A260PZTBG Technische Spezifikationen

IGBT Transistors POWER MOSFET 20V 2A 200 M

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 500mW
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200m Ω @ 2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V
Rise Time 32.3ns
Fall Time (Typ) 74 ns
Continuous Drain Current (ID) 1.3A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 1.7A
DS Breakdown Voltage-Min 20V
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case 6-UFDFN Exposed Pad
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Pin Count 6
Element Configuration Dual
Power Dissipation 800mW
Turn On Delay Time 17.4 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Turn-Off Delay Time 149 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain-source On Resistance-Max 0.2Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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NTLUD3191PZTAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2682
NTLUD3191PZTAG ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NTLUD3191PZTAG Rochester Electronics, LLC MOSFETs Transistor Arrays
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